的研制和出资。据悉，此次参议的要点在于研制方向和设备出资的时刻组织，包含下一代NAND闪存、化合物半导体以及基板。

  知情的人悄悄表明，三星正在与协作伙伴公司共享有关技能开发和设备出资的信息，该公司以为其存储器范畴的根本竞争力已康复到必定水平，因而开端重启未来添加引擎的立异，估计一些新事务的要害方案将很快敲定。

  就在上一年，三星电子曾方案于本年上半年树立第十代NAND（V10）出产线，并在下半年开端量产。但是到现在，收购订单没有真实开端下达。

  据报道，三星电子现已重启了关于V10，即400层NAND的出资。因为层数明显地添加，笔直堆叠存储单元之间用于信号交流的通道孔有必要更深。为此，三星电子将选用低温蚀刻技能，现在正处于低温蚀刻设备供货商挑选的最终阶段。

  此外，V10还将选用“晶圆间（W2W）”键合，并引进用于准确切开晶圆的激光加工技能。这项技能旨在经过一种可以最大极限削减异物发生且不影响微电路的切开办法，来进步NAND闪存的功能和良率。

  三星电子正在重启的另一项新事务是化合物半导体，(GaN) 和(SiC) 是其间的典型代表。早在2023年，三星电子便开端向GaN和SiC出产线转型，以最大极限地进步其8英寸半导体代工出产线的功率。

  据悉，三星电子已与部分协作伙伴就SiC出产所需新添加的设备的规划展开讨论。业界人士猜测，三星电子将于本年开端树立供应链，估计2027年将建成原型出产试点出产线年开端量产SiC。

  业界人士泄漏，三星电子已开端大力推动其GaN和SiC事务，并将其视作重要战略方向。

  据报道，三星电子正寻求经过与多家基板制作供应链企业协作来加快的遍及使用。

  是一种封装基板，其在高密度互连、高频信号传输等使用中展现出共同优势。业界的人表明：“三星电子正在联络多家供货商，比较和剖析玻璃基板的功能和质量。”他还弥补道：“据了解，他们正在精心和谐一项供应链多元化战略，以推动玻璃基板的引进。”

  与此同时，SoCAMM作为一种敏捷兴起的低功耗内存模块，也有望成为三星电子的要点布局目标。据悉，三星电子正在为英伟达等使用大规划出产SoCAMM2，估计将添加供应量以满意未来的需求。